Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM120DUM16T3AG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM120DUM16T3AG
- Microchip Technology
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-SP3F
- Date Sheet
Lagernummer 2045
- 1+: $161.95299
- 10+: $152.78584
- 100+: $144.13759
- 500+: $135.97886
- 1000+: $128.28194
Zwischensummenbetrag $161.95299
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:Module
- Поставщик упаковки устройства:SP3F
- Mfr:Microchip Technology
- :Bulk
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:173A (Tc)
- Основной номер продукта:MSCSM120
- Пакетная партия производителя:1
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip Technology
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Подкатегория:Discrete Semiconductor Modules
- Мощность - Макс:745W (Tc)
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual) Common Source
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:16mOhm @ 80A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.8V @ 2mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:6040pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:464nC @ 20V
- Напряжение стока-исток (Vdss):1200V (1.2kV)
- Тип продукта:Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП:Silicon Carbide (SiC)
- Категория продукта:Discrete Semiconductor Modules
Со склада 2045
- 1+: $161.95299
- 10+: $152.78584
- 100+: $144.13759
- 500+: $135.97886
- 1000+: $128.28194
Итого $161.95299