(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM120TLM31C3AG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM120TLM31C3AG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F
Date Sheet
Lagernummer 2182
- 1+： $186.75231
- 10+： $176.18142
- 100+： $166.20889
- 500+： $156.80084
- 1000+： $147.92532
Zwischensummenbetrag $186.75231
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поставщик упаковки устройства：SP3F
- Mfr：Microchip Technology
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：89A (Tc)
- Основной номер продукта：MSCSM120
- Пакетная партия производителя：1
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology
- Серия：-
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Мощность - Макс：395W (Tc)
- Тип ТРВ：4 N-Channel (Three Level Inverter)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：31mOhm @ 40A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.8V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3020pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：232nC @ 20V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V (1.2kV)
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Со склада 2182
- 1+： $186.75231
- 10+： $176.18142
- 100+： $166.20889
- 500+： $156.80084
- 1000+： $147.92532
Итого $186.75231
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
