(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIR4606DP-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIR4606DP-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Date Sheet
Lagernummer 7162
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10.5A (Ta), 16A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：7.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：3.7W (Ta), 31.2W (Tc)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Время типичного задержки включения：25 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.4 V
- Распад мощности：48 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс：60 S
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay Semiconductors
- Зарядная характеристика ворот：54 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：4.9 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：28 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：40 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：18.5mOhm @ 4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：540 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13.5 nC @ 10 V
- Время подъема：9 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 7162
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
