(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные ISC012N04NM6ATMA1
Изображение служит лишь для справки
ISC012N04NM6ATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Date Sheet
Lagernummer 15014
- 1+： $1.83930
- 10+： $1.73519
- 100+： $1.63697
- 500+： $1.54432
- 1000+： $1.45690
Zwischensummenbetrag $1.83930
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства：PG-TDSON-8 FL
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：36A (Ta), 232A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：3W (Ta), 125W (Tc)
- Основной номер продукта：ISC012N
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.8 V
- Распад мощности：125 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：51 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.2 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：232 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.2mOhm @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.8V @ 747μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4600 pF @ 20 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：64 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 15014
- 1+： $1.83930
- 10+： $1.73519
- 100+： $1.63697
- 500+： $1.54432
- 1000+： $1.45690
Итого $1.83930
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
