Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMTH10H1M7STLWQ-13
Изображение служит лишь для справки
DMTH10H1M7STLWQ-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerSFN
- MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Date Sheet
Lagernummer 1509
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerSFN
- Supplier Device Package：POWERDI1012-8
- Mfr：Diodes Incorporated
- Product Status：Active
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：250A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：6W (Ta), 250W (Tc)
- Base Product Number：DMTH10
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：100 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- Pd - Power Dissipation：6 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1500
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Manufacturer：Diodes Incorporated
- Brand：Diodes Incorporated
- Qg - Gate Charge：147 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：2 mOhms
- Id - Continuous Drain Current：250 A
- Series：-
- Operating Temperature：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Packaging：Cut Tape
- Subcategory：MOSFETs
- Number of Channels：1 Channel
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：9871 pF @ 50 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：147 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：100 V
- Vgs (Max)：±20V
- Product Type：MOSFET
- FET Feature：-
- Product：MOSFET
- Product Category：MOSFET
Со склада 1509
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты