Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RQ3E160ADTB1
Изображение служит лишь для справки
RQ3E160ADTB1
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 7003
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerVDFN
- Supplier Device Package：8-HSMT (3.2x3)
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Product Status：Active
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：16A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V, 10V
- Power Dissipation (Max)：2W (Ta)
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：30 V
- Typical Turn-On Delay Time：9 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.5 V
- Pd - Power Dissipation：2 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Manufacturer：ROHM Semiconductor
- Brand：ROHM Semiconductor
- Qg - Gate Charge：51 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：4.5 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：80 ns
- Id - Continuous Drain Current：16 A
- Series：-
- Operating Temperature：150°C (TJ)
- Packaging：Cut Tape
- Subcategory：MOSFETs
- Configuration：Single
- Number of Channels：1 Channel
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4.5mOhm @ 16A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.5V @ 1mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2550 pF @ 15 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：51 nC @ 10 V
- Rise Time：30 ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30 V
- Vgs (Max)：±20V
- Product Type：MOSFET
- FET Feature：-
- Product Category：MOSFET
Со склада 7003
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты