Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SP8M4HZGTB
Изображение служит лишь для справки
SP8M4HZGTB
- Rohm Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 30V DUAL NCH+PCH POWER MOSFET. S
- Date Sheet
Lagernummer 24
- 1+: $1.93726
- 10+: $1.82760
- 100+: $1.72415
- 500+: $1.62656
- 1000+: $1.53449
Zwischensummenbetrag $1.93726
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства:8-SOP
- Mfr:Rohm Semiconductor
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:9A (Ta), 7A (Ta)
- Число элементов на чипе:2
- Формат упаковки:SOP
- Режим канала:Enhancement
- MSL:-
- Квалификация:AEC-Q101
- Полярность транзистора:N and P Channel
- Прямоходящий ток вывода Id:9A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Время типичного задержки включения:10 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.5 V
- Распад мощности:2 W
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:2500
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Производитель:ROHM Semiconductor
- Бренд:ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот:15 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:18 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:55 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:9 A, 7 A
- Серия:-
- Рабочая температура:150°C (TJ)
- Пакетирование:Cut Tape
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Число контактов:8
- Конфигурация:Dual
- Каналов количество:2 Channel
- Мощность - Макс:1.4W (Ta)
- Тип ТРВ:N and P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:15nC @ 5V, 25nC @ 5V
- Время подъема:15 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel, 1 P-Channel
- Канальный тип:N, P
- Характеристика ТРП:Standard
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 24
- 1+: $1.93726
- 10+: $1.82760
- 100+: $1.72415
- 500+: $1.62656
- 1000+: $1.53449
Итого $1.93726