(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы QH8KA3TCR
Изображение служит лишь для справки
QH8KA3TCR
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SMD, Flat Lead
- NCH+NCH 30V 9.0A SMALL SIGNAL MO
Date Sheet
Lagernummer 5881
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SMD, Flat Lead
- Поставщик упаковки устройства：TSMT8
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Ta)
- Непрерывный ток стока：9(A)
- Дrain-Source On-Volt：30(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：TSMT
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
- Допустимый напряжений на затвор-исток：±20(V)
- Режим канала：Enhancement
- Количество элементов：2
- Квантовозащитный：No
- Монтаж：Surface Mount
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Полярность транзистора：N Channel
- Прямоходящий ток вывода Id：9A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Время типичного задержки включения：8 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：2.6 W
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот：15.5 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：16 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：33 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：9 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：Tape and Reel
- Тип：Small Signal
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Число контактов：8
- Направленность：N
- Конфигурация：Dual
- Каналов количество：2 Channel
- Распад мощности：2.6(W)
- Мощность - Макс：1.5W (Ta)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：16mOhm @ 9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：640pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15.5nC @ 10V
- Время подъема：19 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N Channel
- Характеристика ТРП：Standard
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 5881
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
