(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SQJB44EP-T1_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQJB44EP-T1_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- -
- DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 3217
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A (Tc)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.2 V
- Распад мощности：48 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- Зарядная характеристика ворот：33.5 nC
- Торговое наименование：TrenchFET
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：5.2 mOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：30 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Каналов количество：2 Channel
- Мощность - Макс：48W (Tc)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.2mOhm @ 8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3075pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：50nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：Standard
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 3217
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
