(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMN3055LFDBQ-13
Изображение служит лишь для справки
DMN3055LFDBQ-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Date Sheet
Lagernummer 33
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства：U-DFN2020-6 (Type B)
- Mfr：Diodes Incorporated
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5A (Ta)
- Пакетная партия производителя：10000
- Производитель：Diodes Incorporated
- Бренд：Diodes Incorporated
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Мощность - Макс：810mW (Ta)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：40mOhm @ 3A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：458pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11.2nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 33
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
