SIZF5302DT-T1-RE3

Name: Vishay Siliconix SIZF5302DT-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.7 (10 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
-
DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 4272

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：28.1A (Ta), 100A (Tc)
Основной номер продукта：SIZF5302
Число элементов на чипе：2
Формат упаковки：PowerPAIR 3 x 3FS
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Полярность транзистора：Dual N Channel
Прямоходящий ток вывода Id：100A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
Время типичного задержки включения：20 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
Распад мощности：48.1 W
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 12 V, + 16 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：57 S
Режим канала：Enhancement
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay Semiconductors
Зарядная характеристика ворот：6.7 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：3.2 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：20 ns
Id - Непрерывный ток разряда：100 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Bulk
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Число контактов：12
Каналов количество：2 Channel
Мощность - Макс：3.8W (Ta), 48.1W (Tc)
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.2mOhm @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1030pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22.2nC @ 10V
Время подъема：45 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：2 N-Channel
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：Standard
Категория продукта：MOSFET

Со склада 4272

Итого $0.00000