(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные R6006PND3FRATL
Изображение служит лишь для справки
R6006PND3FRATL
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Date Sheet
Lagernummer 3076
- 1+： $2.20448
- 10+： $2.07970
- 100+： $1.96198
- 500+： $1.85092
- 1000+： $1.74615
Zwischensummenbetrag $2.20448
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：TO-252
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：87W (Tc)
- Непрерывный ток стока：6(A)
- Дrain-Source On-Volt：600(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：DPAK
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
- Допустимый напряжений на затвор-исток：±30(V)
- Режим канала：Enhancement
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Монтаж：Surface Mount
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
- Время типичного задержки включения：22 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4.5 V
- Распад мощности：87 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：2500
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот：15 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.2 Ohms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：50 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：6 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：Tape and Reel
- Тип：Power MOSFET
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：2 +Tab
- Направленность：N
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：87(W)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.2Ohm @ 3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：460 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15 nC @ 10 V
- Время подъема：36 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 3076
- 1+： $2.20448
- 10+： $2.07970
- 100+： $1.96198
- 500+： $1.85092
- 1000+： $1.74615
Итого $2.20448
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
