R6055VNZ4C13

Name: Rohm Semiconductor R6055VNZ4C13
Brand: Rohm Semiconductor
Rating: 5 (11 reviews)

Rohm Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-247-3
600V 55A TO-247, PRESTOMOS WITH
Date Sheet

Lagernummer 477

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Поставщик упаковки устройства：TO-247
Mfr：Rohm Semiconductor
Пакет：Tube
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：55A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V, 15V
Максимальная мощность рассеяния：543W (Tc)
Квалификация：-
Прямоходящий ток вывода Id：55A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
Время типичного задержки включения：35 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：6.5 V
Распад мощности：543 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：600
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Производитель：ROHM Semiconductor
Бренд：ROHM Semiconductor
Зарядная характеристика ворот：80 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：71 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：105 ns
Id - Непрерывный ток разряда：55 A
Серия：-
Рабочая температура：150°C (TJ)
Пакетирование：Tube
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：543W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：71mOhm @ 16A, 15V
Втс(th) (Макс) @ Id：6.5V @ 1.5mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3700 pF @ 100 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：80 nC @ 10 V
Время подъема：35 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 477

Итого $0.00000