RXH100N03TB1

Name: Rohm Semiconductor RXH100N03TB1
Brand: Rohm Semiconductor
Price: 1.5083271 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (10 reviews)

Rohm Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Date Sheet

Lagernummer 1997

1+： $1.50833
10+： $1.42295
100+： $1.34241
500+： $1.26642
1000+： $1.19474

Zwischensummenbetrag $1.50833

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Поставщик упаковки устройства：8-SOP
Mfr：Rohm Semiconductor
Состояние продукта：Active
Пакет：Tape & Reel (TR)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V, 10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A (Ta)
Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
Время типичного задержки включения：10 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Распад мощности：2 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Пакетная партия производителя：2500
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：ROHM Semiconductor
Бренд：ROHM Semiconductor
Зарядная характеристика ворот：11 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：13 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：50 ns
Id - Непрерывный ток разряда：10 A
Серия：-
Рабочая температура：150°C
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：13mOhm @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：800 pF @ 10 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11 nC @ 5 V
Время подъема：45 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 1997

1+： $1.50833
10+： $1.42295
100+： $1.34241
500+： $1.26642
1000+： $1.19474

Итого $1.50833