(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RS3E130ATTB1
Изображение служит лишь для справки
RS3E130ATTB1
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
Date Sheet
Lagernummer 2616
- 1+： $2.01605
- 10+： $1.90194
- 100+： $1.79428
- 500+： $1.69272
- 1000+： $1.59690
Zwischensummenbetrag $2.01605
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SOP
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.4W (Ta)
- Непрерывный ток стока：13(A)
- Дrain-Source On-Volt：30(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：SOP
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 150C
- Допустимый напряжений на затвор-исток：±20(V)
- Режим канала：Enhancement
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Монтаж：Surface Mount
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Время типичного задержки включения：17 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：2 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：2500
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот：83 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：8.5 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：200 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：13 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：Tape and Reel
- Тип：Power MOSFET
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：8
- Направленность：P
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：2(W)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8.5mOhm @ 13A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 2mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3730 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：83 nC @ 10 V
- Время подъема：25 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 2616
- 1+： $2.01605
- 10+： $1.90194
- 100+： $1.79428
- 500+： $1.69272
- 1000+： $1.59690
Итого $2.01605
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
