(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные CMS45N10H8-HF
Изображение служит лишь для справки
CMS45N10H8-HF
-
Comchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 3277
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства：P-PAK (5x6)
- Mfr：Comchip Technology
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：45A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：94.7W (Tc)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
- Время типичного задержки включения：16.6 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：94.7 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Comchip Technology
- Бренд：Comchip Technology
- Зарядная характеристика ворот：16.2 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：20 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：75.5 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：45 A
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：20mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1003.9 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16.2 nC @ 10 V
- Время подъема：3.8 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 3277
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
