SI3483CDV-T1-BE3

Name: Vishay Siliconix SI3483CDV-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.7 (8 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 5310

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Поставщик упаковки устройства：6-TSOP
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6.1A (Ta), 8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta), 4.2W (Tc)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
Время типичного задержки включения：45 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1 V
Распад мощности：4.2 W
Полярность транзистора：P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.000705 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：SI3483CDV-T1-GE3
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：11.5 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：34 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：30 ns
Id - Непрерывный ток разряда：8 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：34mOhm @ 6.1A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1000 pF @ 15 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：33 nC @ 10 V
Время подъема：135 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 P-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 5310

Итого $0.00000