(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHA25N60EFL-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHA25N60EFL-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- N-CHANNEL 600V
Date Sheet
Lagernummer 833
- 1+： $4.05363
- 10+： $3.82418
- 100+： $3.60772
- 500+： $3.40350
- 1000+： $3.21085
Zwischensummenbetrag $4.05363
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
- Поставщик упаковки устройства：TO-220 Full Pack
- Mfr：Vishay Siliconix
- Пакет：Cut Tape (CT)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：25A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：39W (Tc)
- Прямоходящий ток вывода Id：25
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Пакетная партия производителя：1000
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- РХОС：Details
- Серия：E
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Распад мощности：39
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：146mOhm @ 12.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2274 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：75 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 833
- 1+： $4.05363
- 10+： $3.82418
- 100+： $3.60772
- 500+： $3.40350
- 1000+： $3.21085
Итого $4.05363
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
