(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI6415DQ-T1-BE3
Изображение служит лишь для справки
SI6415DQ-T1-BE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 6000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-TSSOP
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6.5A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.5W (Ta)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Время типичного задержки включения：16 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1 V
- Распад мощности：1.5 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс：18.5 S
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay Semiconductors
- Зарядная характеристика ворот：70 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.9 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：73 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：6.5 A
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Bulk
- Подкатегория：MOSFETs
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：19mOhm @ 6.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：70 nC @ 10 V
- Время подъема：17 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 P-Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 6000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
