(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHA12N50E-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHA12N50E-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- N-CHANNEL 500V
Date Sheet
Lagernummer 770
- 1+： $1.89266
- 10+： $1.78553
- 100+： $1.68446
- 500+： $1.58911
- 1000+： $1.49916
Zwischensummenbetrag $1.89266
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
- Поставщик упаковки устройства：TO-220 Full Pack
- Mfr：Vishay Siliconix
- Пакет：Cut Tape (CT)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10.5A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：32W (Tc)
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：10.5A
- Полярность транзистора：N-Channel
- Вес единицы：0.068784 oz
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：Through Hole
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- РХОС：Details
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：32W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：380mOhm @ 6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：886 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：50 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Канальный тип：N Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 770
- 1+： $1.89266
- 10+： $1.78553
- 100+： $1.68446
- 500+： $1.58911
- 1000+： $1.49916
Итого $1.89266
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
