(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFR220TRPBF-BE3
Изображение служит лишь для справки
IRFR220TRPBF-BE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- N-CHANNEL 200V
Date Sheet
Lagernummer 12
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：TO-252AA
- Mfr：Vishay Siliconix
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.8A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W (Ta), 42W (Tc)
- Основной номер продукта：IRFR220
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：200 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
- Распад мощности：42 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：14 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：800 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：4.8 A
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：800mOhm @ 2.9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：260 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：14 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：200 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 12
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
