Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MSCSM120DDUM16CTBL3NG
Изображение служит лишь для справки
MSCSM120DDUM16CTBL3NG
- Microchip Technology
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PM-MOSFET-SIC-SBD-BL3
- Date Sheet
Lagernummer 602
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:Module
- Поставщик упаковки устройства:-
- Mfr:Microchip Technology
- Пакет:Bulk
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:150A
- Основной номер продукта:MSCSM120
- Обратное напряжение:1200 V
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:1.2 kV
- Время типичного задержки включения:30 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1.8 V
- Распад мощности:560 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 10 V, + 25 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:Screw Mounts
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip Technology / Atmel
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:16 mOhms
- Время задержки отключения типичного:50 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:150 A
- Серия:-
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип:Double Dual Common Source SiC MOSFET Power Module
- Подкатегория:Discrete Semiconductor Modules
- Технология:SiC
- Конфигурация:Double Dual Common Source
- Мощность - Макс:560W
- Тип ТРВ:4 N-Channel, Common Source
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:16mOhm @ 80A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.8V @ 2mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:6040pF @ 1000V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:464nC @ 20V
- Время подъема:30 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):1200V
- Тип продукта:Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП:Silicon Carbide (SiC)
- Продукт:Power MOSFET Modules
- Вф - Напряжение прямого тока:1.5 V at 60 A
- Категория продукта:Discrete Semiconductor Modules
Со склада 602
Итого $0.00000