SIDR5802EP-T1-RE3

Name: Vishay Siliconix SIDR5802EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.8 (7 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 16344

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：34.2A (Ta), 153A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：7.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：7.5W (Ta), 150W (Tc)
Основной номер продукта：SIDR5802
Формат упаковки：PowerPAK SO-8DC
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Прямоходящий ток вывода Id：153A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：80 V
Время типичного задержки включения：21 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：150 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：49 S
Режим канала：Enhancement
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay Semiconductors
Зарядная характеристика ворот：28 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2.9 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：25 ns
Id - Непрерывный ток разряда：153 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：8
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：150W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.9mOhm @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3020 pF @ 40 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：60 nC @ 10 V
Время подъема：16 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：80 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 16344

Итого $0.00000