RS6P100BHTB1

Name: Rohm Semiconductor RS6P100BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
Price: 3.0330783 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (12 reviews)

Rohm Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF
Date Sheet

Lagernummer 4056

1+： $3.03308
10+： $2.86139
100+： $2.69943
500+： $2.54663
1000+： $2.40248

Zwischensummenbetrag $3.03308

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Поставщик упаковки устройства：8-HSOP
Mfr：Rohm Semiconductor
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：104W (Tc)
Формат упаковки：HSOP8S
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
Время типичного задержки включения：30 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：104 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2500
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：ROHM Semiconductor
Бренд：ROHM Semiconductor
Зарядная характеристика ворот：49 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：5.9 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：69 ns
Id - Непрерывный ток разряда：100 A
Серия：-
Рабочая температура：150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.9mOhm @ 90A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2880 pF @ 50 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45 nC @ 10 V
Время подъема：35 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 4056

1+： $3.03308
10+： $2.86139
100+： $2.69943
500+： $2.54663
1000+： $2.40248

Итого $3.03308