(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SH8KE6TB1
Изображение служит лишь для справки
SH8KE6TB1
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Date Sheet
Lagernummer 1812
- 1+： $2.02744
- 10+： $1.91268
- 100+： $1.80441
- 500+： $1.70227
- 1000+： $1.60592
Zwischensummenbetrag $2.02744
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SOP
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.5A (Ta)
- Формат упаковки：SOP8
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：2 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：6.7 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：58 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：4.5 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Технология：Si
- Каналов количество：2 Channel
- Мощность - Макс：1.4W (Ta)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：58mOhm @ 4.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：305pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6.7nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：Standard
Со склада 1812
- 1+： $2.02744
- 10+： $1.91268
- 100+： $1.80441
- 500+： $1.70227
- 1000+： $1.60592
Итого $2.02744
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
