(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы PMGD780SN,115
Изображение служит лишь для справки
PMGD780SN,115
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- PMGD780SN Series 60 V 0.92 Ohm 410 mW Dual N-Channel TrenchMOS FET - SOT-363
Date Sheet
Lagernummer 2400
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：6-TSSOP
- РХОС：Lead free / RoHS Compliant
- ПКН упаковка：Lighter Reels 02/Jan/2014
- Каталог онлайн：N-Channel Logic Level Gate FETs
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：490mA
- Входной конденсанс (Ciss) @ Uds：23pF @ 30V
- PCN - Проектная Конструкция/Техническое Задание：Resin Hardener 02/Jul/2013
- Зарядная характеристика (Qg) @ Усилитель напряжения (Vgs)：1.05nC @ 10V
- Стандартная упаковка：1
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Мощность - Макс：410mW
- Семейство：FETs - Arrays
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：920 mOhm @ 300mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250碌A
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Со склада 2400
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
