(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQI50N06LTU
Изображение служит лишь для справки
FQI50N06LTU
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Power Field-Effect Transistor, 52.4A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 1000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Поставщик упаковки устройства：I2PAK (TO-262)
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：52.4A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V, 10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：3.75W (Ta), 121W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：QFET®
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：21mOhm @ 26.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1630 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：32 nC @ 5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 1000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
