(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TK35E08N1
Изображение служит лишь для справки
TK35E08N1
-
Toshiba
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
Date Sheet
Lagernummer 205
- 1+： $1.01841
- 10+： $0.96076
- 100+： $0.90638
- 500+： $0.85508
- 1000+： $0.80668
Zwischensummenbetrag $1.01841
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：TO-220
- Максимальная рабочая температура：+150 °C
- Режим канала：Enhancement
- Серия：TK
- Число контактов：3
- Канальный тип：N
- Ширина：4.45mm
- Высота：15.1mm
- Длина：10.16mm
Со склада 205
- 1+： $1.01841
- 10+： $0.96076
- 100+： $0.90638
- 500+： $0.85508
- 1000+： $0.80668
Итого $1.01841
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
