(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TK35E08N1
Изображение служит лишь для справки
TK35E08N1
-
Toshiba
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
Date Sheet
Lagernummer 343
- 1+： $0.94435
- 10+： $0.89090
- 100+： $0.84047
- 500+： $0.79289
- 1000+： $0.74801
Zwischensummenbetrag $0.94435
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：TO-220
- Максимальная рабочая температура：+150 °C
- Режим канала：Enhancement
- Серия：TK
- Число контактов：3
- Канальный тип：N
- Ширина：4.45mm
- Высота：15.1mm
- Длина：10.16mm
Со склада 343
- 1+： $0.94435
- 10+： $0.89090
- 100+： $0.84047
- 500+： $0.79289
- 1000+： $0.74801
Итого $0.94435
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
