(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные JANTXV2N7335
Изображение служит лишь для справки
JANTXV2N7335
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 100V, 1.73ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, MO-036AB, 14 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：14
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：IN-LINE, R-CDIP-T14
- Форма упаковки：IN-LINE
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：JANTXV2N7335
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Microsemi Corporation
- Количество элементов：4
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：5.19
- Код упаковки компонента：DIP
- Максимальный ток утечки (ID)：0.75 A
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：14
- Нормативная Марка：MIL-19500/599
- Код JESD-30：R-CDIP-T14
- Квалификационный Статус：Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：MO-036AB
- Сопротивление открытого канала-макс：1.73 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：3 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：75 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
