(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFB17N20DPBF
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 26000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：LEAD FREE PACKAGE-3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：30
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：IRFB17N20DPBF
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：International Rectifier
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Ранг риска：5.83
- Код упаковки компонента：TO-220AB
- Максимальный ток утечки (ID)：16 A
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：16 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.17 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：64 A
- Минимальная напряжённость разрушения：200 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：240 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：140 W
Со склада 26000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
