(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPI100N04S3-03
Изображение служит лишь для справки
IPI100N04S3-03
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 756
- 1+： $0.82494
- 10+： $0.77824
- 100+： $0.73419
- 500+： $0.69263
- 1000+： $0.65343
Zwischensummenbetrag $0.82494
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Прямоходящий ток вывода Id：100
- Состояние продукта：Active
- Mfr：Infineon Technologies
- Пакет：Bulk
- Описание пакета：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Форма упаковки：IN-LINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：IPI100N04S3-03
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.71
- Код упаковки компонента：TO-262AA
- Максимальный ток утечки (ID)：100 A
- Серия：*
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：ULTRA LOW RESISTANCE
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-262AA
- Максимальный сливовой ток (ID)：100 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0028 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：400 A
- Минимальная напряжённость разрушения：40 V
- Канальный тип：N
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：898 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：214 W
Со склада 756
- 1+： $0.82494
- 10+： $0.77824
- 100+： $0.73419
- 500+： $0.69263
- 1000+： $0.65343
Итого $0.82494
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
