Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQB6N90TM
Изображение служит лишь для справки
FQB6N90TM
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Supplier Device Package：D2PAK (TO-263)
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：3.13W (Ta), 167W (Tc)
- Product Status：Active
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：QFET™
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.9Ohm @ 2.9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1880 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：52 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：900 V
- Vgs (Max)：±30V
- FET Feature：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты