Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BLS7G2729L-350P,11
Изображение служит лишь для справки
BLS7G2729L-350P,11
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- BLS7G2729L-350P
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Package：Bulk
- Mfr：NXP Semiconductors
- Product Status：Active
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：BLS7G2729L-350P,11
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Ampleon
- Number of Elements：2
- Part Life Cycle Code：Contact Manufacturer
- Ihs Manufacturer：AMPLEON NETHERLANDS B V
- Risk Rank：5.36
- Series：-
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Reference Standard：IEC-60134
- JESD-30 Code：R-CDFM-F4
- Configuration：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：SOURCE
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- DS Breakdown Voltage-Min：65 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Highest Frequency Band：S BAND
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты