Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HAT2024R
Изображение служит лишь для справки
HAT2024R
-
Hitachi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 30V, 0.11ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Manufacturer Part Number：HAT2024R
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Hitachi Ltd
- Number of Elements：2
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：HITACHI LTD
- Risk Rank：5.35
- Part Package Code：SOIC
- Drain Current-Max (ID)：5.5 A
- ECCN Code：EAR99
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：8
- JESD-30 Code：R-PDSO-G8
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：MS-012AA
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：5.5 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.11 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：44 A
- DS Breakdown Voltage-Min：30 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：2 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты