(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDS3612
Изображение служит лишь для справки
FDS3612
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Small Signal Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
Date Sheet
Lagernummer 200
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SOIC
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.4A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V, 10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W (Ta)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：PowerTrench®
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：120mOhm @ 3.4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：632 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 200
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
