Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BLF147
Изображение служит лишь для справки
BLF147
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-4, FET RF Power
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：BLF147
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：NXP Semiconductors
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：NXP SEMICONDUCTORS
- Risk Rank：5.66
- Drain Current-Max (ID)：25 A
- Pbfree Code：Yes
- ECCN Code：EAR99
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：RADIAL
- Terminal Form：FLAT
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：O-CRFM-F4
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：ISOLATED
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：25 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.15 Ω
- DS Breakdown Voltage-Min：65 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：220 W
- Highest Frequency Band：VERY HIGH FREQUENCY BAND
- Power Dissipation Ambient-Max：220 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты