(0)
Изображение служит лишь для справки
NTE107
-
NTE Electronics, Inc.
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92
Date Sheet
Lagernummer 1
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：TO-92
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Эмиттер-основное напряжение：3(V)
- Формат упаковки：TO-92
- Токовая напряжение коллектора-эммитера：30(V)
- Диапазон рабочей температуры：-55C to 100C
- Коллекторный ток (постоянный)：0.025(A)
- Количество элементов：1
- Уголок постоянного тока：20@8MA@10V
- Артикул Производителя：NTE107
- Производитель：NTE Electronics
- Пакет：Bag
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：25mA
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Состояние продукта：Active
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Траниционный частотный предел (fT)：700 MHz
- Форма упаковки：ROUND
- Код цикла жизни компонента：Active
- Описание Samacsys：Transistor: NPN; bipolar; 12V; 25mA; 0.2W; TO92
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска：2.14
- Рабочая температура：100°C (TJ)
- Серия：-
- Код ECCN：EAR99
- Тип：NPN
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：O-PBCY-W3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：0.2(W)
- Мощность - Макс：200mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 8mA, 10V
- Код JEDEC-95：TO-92
- Увеличение：-
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：12V
- Частота - Переход：2.1GHz
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.25 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.025 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：70
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：12 V
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс：1.5 pF
- Шумовая фигура (дБ тип @ ф)：6.5dB @ 60MHz
Со склада 1
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
