(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HUF75829D3
Изображение служит лишь для справки
HUF75829D3
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA,
Date Sheet
Lagernummer 20800
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Поставщик упаковки устройства：I-PAK
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：110W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：UltraFET™
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：110mOhm @ 18A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1080 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：70 nC @ 20 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：150 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 20800
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
