Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HUF75829D3
Изображение служит лишь для справки
HUF75829D3
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA,
Date Sheet
Lagernummer 1127
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Supplier Device Package：I-PAK
- Package：Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：110W (Tc)
- Product Status：Obsolete
- Operating Temperature：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Series：UltraFET™
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：110mOhm @ 18A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1080 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：70 nC @ 20 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：150 V
- Vgs (Max)：±20V
- FET Feature：-
Со склада 1127
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты