Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXTN15N100
Изображение служит лишь для справки
IXTN15N100
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1000V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-227B, MINIBLOC-4
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：IXTN15N100
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：IXYS Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：IXYS CORP
- Risk Rank：5.79
- Part Package Code：SOT-227
- Drain Current-Max (ID)：15 A
- Pbfree Code：Yes
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Nickel (Ni)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：UPPER
- Terminal Form：UNSPECIFIED
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：compliant
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：R-PUFM-X4
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：ISOLATED
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：15 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.6 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：60 A
- DS Breakdown Voltage-Min：1000 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：350 W
- Power Dissipation Ambient-Max：400 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты