(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные AUIRFR120ZTR
Изображение служит лишь для справки
AUIRFR120ZTR
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 26735
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：175 °C
- Артикул Производителя：AUIRFR120ZTR
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：International Rectifier
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Ранг риска：5.16
- Код упаковки компонента：TO-252AA
- Максимальный ток утечки (ID)：8.7 A
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-252AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.19 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：35 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：20 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 26735
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
