Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTJS3157NT1
Изображение служит лишь для справки
NTJS3157NT1
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Single N-Channel Trench Power MOSFET 20V, 4.0A, 60mΩ, SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD, 3000-REEL
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：6
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：2 X 2 MM, CASE 419B-02, SC-88, SC-70-6, 6 PIN
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Package Code：419B-02
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Manufacturer Part Number：NTJS3157NT1
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：ON Semiconductor
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：ON SEMICONDUCTOR
- Risk Rank：5.21
- Part Package Code：SC-70
- Drain Current-Max (ID)：3.2 A
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：No
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn80Pb20)
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Pin Count：6
- JESD-30 Code：R-PDSO-G6
- Qualification Status：Not Qualified
- Brand Name：ON Semiconductor
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：3.2 A
- Drain-source On Resistance-Max：0.06 Ω
- DS Breakdown Voltage-Min：20 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：1 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты