Изображение служит лишь для справки






MJD31C
-
ON Semiconductor
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- 3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 10000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя:CASE 369C
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:140 °C
- Рохс Код:No
- Траниционный частотный предел (fT):3 MHz
- Артикул Производителя:MJD31C
- Ранг риска:6.93
- Производитель IHS:ON SEMICONDUCTOR
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Количество элементов:1
- Производитель:ON Semiconductor
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Подкатегория:Other Transistors
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):235
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.):15 W
- Максимальный ток коллектора (IC):3 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):10
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:100 V
Со склада 10000
Итого $0.00000