Изображение служит лишь для справки






2SK1151S(TR-E)
-
Renesas Electronics America
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Nch Single Power MOSFET 450V 1.5A 5500mohm DPAK(S)/TO-252
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя:PRSS0004ZD-C4
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:2SK1151STR-E
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Not Recommended
- Производитель IHS:RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска:5.74
- Код упаковки компонента:DPAK(S)
- Максимальный ток утечки (ID):1.5 A
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Название бренда:Renesas
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:5.5 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:6 A
- Минимальная напряжённость разрушения:450 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000