Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQB4N20TM
Изображение служит лишь для справки
FQB4N20TM
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 117
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Supplier Device Package：D2PAK (TO-263)
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：3.13W (Ta), 45W (Tc)
- Product Status：Obsolete
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：QFET®
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：1.4Ohm @ 1.8A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：220 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：6.5 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：200 V
- Vgs (Max)：±30V
- FET Feature：-
Со склада 117
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты