Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NX2301P
Изображение служит лишь для справки
NX2301P
-
Nexperia
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Number of Terminals：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：Yes
- Manufacturer Part Number：NX2301P
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Nexperia
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Samacsys Description：Trench MOSFET,P channel 20V,2A SOT23 NXP NX2301P P-channel MOSFET Transistor, -2 A, 20 V, 3-Pin SOT23
- Ihs Manufacturer：NEXPERIA
- Risk Rank：1.18
- Drain Current-Max (ID)：2 A
- JESD-609 Code：e3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Reach Compliance Code：compliant
- Reference Standard：AEC-Q101; IEC-60134
- JESD-30 Code：R-PDSO-G3
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：P-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-236AB
- Drain-source On Resistance-Max：0.27 Ω
- DS Breakdown Voltage-Min：20 V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты