(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NE850R599A
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：GALLIUM ARSENIDE
- Описание пакета：99, 2 PIN
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：NE850R599A
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD
- Ранг риска：5.83
- Максимальный ток утечки (ID)：0.56 A
- Код JESD-609：e0
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-CDFM-F2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：DEPLETION MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения：15 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима：C BAND
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
