Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2N6756
Изображение служит лишь для справки
2N6756
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：NO
- Number of Terminals：2
- Transistor Element Material：SILICON
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：METAL
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：No
- Manufacturer Part Number：2N6756
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.08
- Drain Current-Max (ID)：14 A
- JESD-609 Code：e0
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Additional Feature：AVALANCHE RATED
- Subcategory：FET General Purpose Power
- Terminal Position：BOTTOM
- Terminal Form：PIN/PEG
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：unknown
- Reference Standard：MILITARY STANDARD (USA)
- JESD-30 Code：O-MBFM-P2
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SINGLE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- JEDEC-95 Code：TO-204AA
- Drain-source On Resistance-Max：0.18 Ω
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：56 A
- DS Breakdown Voltage-Min：100 V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：75 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Power Dissipation-Max (Abs)：75 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты