Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDI33N25TU
Изображение служит лишь для справки
FDI33N25TU
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 250V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, I2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Supplier Device Package：I2PAK (TO-262)
- Package：Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：33A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：235W (Tc)
- Product Status：Obsolete
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：UniFET™
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：94mOhm @ 16.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2135 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：48 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：250 V
- Vgs (Max)：±30V
- FET Feature：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты