(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDI33N25TU
Изображение служит лишь для справки
FDI33N25TU
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 250V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, I2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Поставщик упаковки устройства：I2PAK (TO-262)
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：33A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：235W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：UniFET™
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：94mOhm @ 16.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2135 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：48 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：250 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
