(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPP072N10N3GXK
Изображение служит лишь для справки
IPP072N10N3GXK
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 18
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Прямоходящий ток вывода Id：80
- Режим канала：Enhancement
- Партийные обозначения：SP000680830 G IPP072N10N3 IPP072N10N3GXKSA1
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот：68 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：6.2 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：37 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：80 A
- Минимальная прямая транконductанс：50 S
- Монтажные варианты：Through Hole
- Пакетная партия производителя：500
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Вес единицы：0.068784 oz
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Полярность транзистора：N-Channel
- Распад мощности：150 W
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
- Время типичного задержки включения：19 ns
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：37 ns
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Канальный тип：N
- Категория продукта：MOSFET
- Длина：10 mm
- Высота：15.65 mm
- Ширина：4.4 mm
Со склада 18
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
