Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPP072N10N3GXK
Изображение служит лишь для справки
IPP072N10N3GXK
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 18
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Package / Case：TO-220-3
- Continuous Drain Current Id：80
- Channel Mode：Enhancement
- Part # Aliases：SP000680830 G IPP072N10N3 IPP072N10N3GXKSA1
- Manufacturer：Infineon
- Brand：Infineon Technologies
- Qg - Gate Charge：68 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：6.2 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：37 ns
- Id - Continuous Drain Current：80 A
- Forward Transconductance - Min：50 S
- Mounting Styles：Through Hole
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：500
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Unit Weight：0.068784 oz
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Transistor Polarity：N-Channel
- Pd - Power Dissipation：150 W
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2 V
- Typical Turn-On Delay Time：19 ns
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：100 V
- Packaging：Tube
- Subcategory：MOSFETs
- Technology：Si
- Configuration：Single
- Number of Channels：1 Channel
- Rise Time：37 ns
- Product Type：MOSFET
- Transistor Type：1 N-Channel
- Channel Type：N
- Product Category：MOSFET
- Length：10 mm
- Height：15.65 mm
- Width：4.4 mm
Со склада 18
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты