Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQPF10N20
Изображение служит лишь для справки
FQPF10N20
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 16
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Supplier Device Package：TO-220F-3
- Package：Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：40W (Tc)
- Product Status：Obsolete
- Operating Temperature：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Series：QFET®
- Technology：MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：360mOhm @ 3.4A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：5V @ 250µA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：670 pF @ 25 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：18 nC @ 10 V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：200 V
- Vgs (Max)：±30V
- FET Feature：-
Со склада 16
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты